IRLR110TRPBF

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：540 毫欧 @ 2.6A, 5V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.3A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：6.1nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：250pF @ 25V
功率 - 最大：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)
包装：剪切带 (CT)
供应商设备封装：*
其它名称：*IRLR110TRPBFIRLR110PBFCT