类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：12 毫欧 @ 15A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：62A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：24nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2417pF @ 15V
功率 - 最大：87W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：TO-220AB
其它名称：*IRF3708PBF
IRF3708PBF
概述
在线购买
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| AUIRF3710ZS | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | 立即购买 |
| IRF3703PBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 30V 210A TO-220AB | 立即购买 |
| IRF3708PBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB | 立即购买 |
| IRF3710ZPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 100V 59A TO-220AB | 立即购买 |
| IRF3709PBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB | 立即购买 |