类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：500 毫欧 @ 1.1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.8A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：12nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：270pF @ 25V
功率 - 最大：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-223 (3 引线 + 接片), SC-73, TO-261
包装：管件
供应商设备封装：*
IRFL9014PBF
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFL9110TRPBF | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 | 立即购买 |
| IRFL9110TRPBF | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 | 立即购买 |
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| IRFL9014TRPBF | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 | 立即购买 |
| IRFL9014TRPBF | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 | 立即购买 |