类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PolarHV™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2 欧姆 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.6A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：9.3nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：409pF @ 25V
功率 - 最大：70W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220
包装：管件
供应商设备封装：*
IXTP3N50P
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTP3N50D2 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB | 立即购买 |
| IXTP300N04T2 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 40V 300A TO-220 | 立即购买 |
| IXTP32P05T | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET P-CH 50V 32A TO-220 | 立即购买 |
| IXTP36P15P | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET P-CH 150V 36A TO-220 | 立即购买 |
| IXTP36N30P | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 300V 36A TO-220 | 立即购买 |