类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：200 毫欧 @ 6A, 5V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：10A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：8.4nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：400pF @ 25V
功率 - 最大：3.7W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片）
包装：管件
供应商设备封装：*
其它名称：*IRLZ14S
IRLZ14S
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRLZ14SPBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK | 立即购买 |
| IRLZ14PBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB | 立即购买 |
| IRLZ14STRL | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK | 立即购买 |
| IRLZ14STRR | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK | 立即购买 |
| IRLZ14STRRPBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK | 立即购买 |