类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：CoolMOS™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：299 毫欧 @ 6.6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：11A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3.5V @ 440µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：29nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1100pF @ 100V
功率 - 最大：96W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：TO-220-3
其它名称：IPP60R299CPINIPP60R299CPXIPP60R299CPXKIPP60R299CPXTINIPP60R299CPXTIN-NDSP000084280
IPP60R299CP
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPP60R099P7XKSA1 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3 | 立即购买 |
| IPP60R090CFD7XKSA1 | INFINEON (英飞凌) | HIGH POWER_NEW | 立即购买 |
| IPP60R099C7XKSA1 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3 | 立即购买 |
| IPP60R190C6XKSA1 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220 | 立即购买 |
| IPP60R250CPXKSA1 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 | 立即购买 |