类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
系列：HEXFET®
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：100 毫欧 @ 2.2A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.5A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：14nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：190pF @ 15V
功率 - 最大：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽）
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：8-SO
其它名称：IRF9956PBFTRIRF9956TRPBF-NDIRF9956TRPBFTR-ND
IRF9956TRPBF
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF9952QPBF | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | P-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| IRF9953TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC | 立即购买 |
| IRF9953TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC | 立即购买 |
| IRF9953TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC | 立即购买 |
| AUIRF9952QTR | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO | 立即购买 |