类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
系列：HEXFET®
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：18.3 毫欧 @ 8.9A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8.9A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：7.4nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：540pF @ 10V
功率 - 最大：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽）
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：8-SO
其它名称：IRF8915PBFTRIRF8915TRPBF-NDIRF8915TRPBFTR-ND
IRF8915TRPBF
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF8910GTRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC | 立即购买 |
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| IRF8910GPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO | 立即购买 |
| IRF8915PBF | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | HEXFET POWER MOSFET | 立即购买 |