类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：20 毫欧 @ 18A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：36A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：9.7nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：670pF @ 10V
功率 - 最大：47W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)
包装：管件
供应商设备封装：D-Pak
IRLR3714PBF
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRLR3410TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK | 立即购买 |
| IRLR3410TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK | 立即购买 |
| IRLR3410TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK | 立即购买 |
| IRLR3705ZTRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 立即购买 |
| IRLR3705ZTRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 立即购买 |