类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：OptiMOS™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：26 毫欧 @ 35A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：35A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 39µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：31nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2070pF @ 50V
功率 - 最大：71W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：TO-220-3
其它名称：IPP26CN10NGXIPP26CN10NGXKSP000096471
IPP26CN10N G
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPP26CN10NGHKSA1 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 100V 35A TO-220 | 立即购买 |
| IPP26CNE8N G | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 85V 35A TO-220 | 立即购买 |
| IPP260N06N3GXKSA1 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 60V 27A TO220-3 | 立即购买 |
| IPP260N06N3G | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |