类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5 欧姆 @ 1.9A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：1000V (1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.1A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：80nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：980pF @ 25V
功率 - 最大：125W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：*
其它名称：*IRFBG30PBF
IRFBG30PBF
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFBG30PBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB | 立即购买 |
| IRFBG20PBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB | 立即购买 |
| IRFBG20 | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB | 立即购买 |
| IRFBG30 | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB | 立即购买 |
| IRFBG20L | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262 | 立即购买 |