IRFR3711TRPBF

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.5 毫欧 @ 15A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：100A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：44nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2980pF @ 10V
功率 - 最大：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)
包装：剪切带 (CT)
供应商设备封装：D-Pak
其它名称：*IRFR3711TRPBFIRFR3711PBFCT