类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：380 毫欧 @ 5.6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：9.4A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：27nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：560pF @ 25V
功率 - 最大：86W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：D-Pak
IRFR9N20DTRLPBF
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFR9214PBF | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK | 立即购买 |
| IRFR9020PBF | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK | 立即购买 |
| IRFR9120TRLPBF | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK | 立即购买 |
| IRFR9120TRLPBF | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK | 立即购买 |
| IRFR9120TRLPBF | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK | 立即购买 |