类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HiPerFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：160 毫欧 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：32A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：150nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3950pF @ 25V
功率 - 最大：416W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-264AA
包装：管件
供应商设备封装：*
IXFK32N50Q
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFK300N20X3 | IXYS (艾赛斯.力特) | 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | 立即购买 |
| IXFK32N80Q3 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 800V 32A TO-264 | 立即购买 |
| IXFK360N15T2 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 150V 360A TO264 | 立即购买 |
| IXFK32N100Q3 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264 | 立即购买 |
| IXFK320N17T2 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 170V 320A TO264 | 立即购买 |