IRFS33N15DPBF

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：56 毫欧 @ 20A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：33A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：90nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2020pF @ 25V
功率 - 最大：3.8W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片）
包装：管件
供应商设备封装：D2PAK
其它名称：*IRFS33N15DPBF