类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：600 毫欧 @ 2.9A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：23nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：300pF @ 25V
功率 - 最大：43W
安装类型：通孔
封装/外壳：IPak, TO-251, DPak, VPak (3 直引线 + 接片)
包装：管件
供应商设备封装：I-Pak
其它名称：*IRFU220NPBF
IRFU220NPBF
概述
在线购买
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFU210PBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK | 立即购买 |
| IRFU2607ZPBF | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| IRFU220N | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK | 立即购买 |
| IRFU220BTU-AM002 | ON (安森美) | MOSFET N-CH 200V 4.6A IPAK | 立即购买 |
| IRFU214PBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 250V 2.2A I-PAK | 立即购买 |