类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：Polar™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：24 毫欧 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：300V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：140A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：185nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：14800pF @ 25V
功率 - 最大：1040W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-264
包装：管件
供应商设备封装：*
IXFK140N30P
概述
在线购买
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFK100N65X2 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 650V 100A TO-264 | 立即购买 |
| IXFK160N30T | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 300V 160A TO-264 | 立即购买 |
| IXFK180N25T | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 250V 180A TO-264 | 立即购买 |
| IXFK150N30X3 | IXYS (艾赛斯.力特) | 300V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | 立即购买 |
| IXFK170N25X3 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 250V 170A TO264 | 立即购买 |