类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：15 毫欧 @ 33A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：83A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：110nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4460pF @ 25V
功率 - 最大：330W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：TO-220AB
IRFB4321PBF
概述
在线购买
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFB4110GPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB | 立即购买 |
| IRFB4137PBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 300V 38A TO-220PAK | 立即购买 |
| IRFB41N15DPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB | 立即购买 |
| IRFB4115PBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB | 立即购买 |
| IRFB4127PBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB | 立即购买 |