类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：OptiMOS™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.7 毫欧 @ 100A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：100A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 270µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：167nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：6100pF @ 30V
功率 - 最大：300W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片）
包装：剪切带 (CT)
供应商设备封装：TO-263
其它名称：IPB050N06NGINCT
IPB050N06N G
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB054N08N3GATMA1 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 | 立即购买 |
| IPB054N08N3GATMA1 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 | 立即购买 |
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| IPB050N06NGATMA1 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| IPB054N06N3GATMA1 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | 立即购买 |