类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
系列：HEXFET®
FET 型：N 和 P 沟道
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：140 毫欧 @ 1.7A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.4A, 1.7A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：8nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：260pF @ 15V
功率 - 最大：1.25W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：Micro8™
包装：剪切带 (CT)
供应商设备封装：Micro8™
其它名称：*IRF7507TRIRF7507IRF7507CT
IRF7507TR
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF7580MTRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET | 立即购买 |
| IRF7580MTRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET | 立即购买 |
| IRF7580MTRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 60V 114A DIRECTFET | 立即购买 |
| IRF7534D1PBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO-8 | 立即购买 |
| IRF7521D1TR | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 20V 2.4A MICRO8 | 立即购买 |