类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PolarHV™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：200 毫欧 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：30A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：70nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4150pF @ 25V
功率 - 最大：460W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-268
包装：管件
供应商设备封装：*
IXTT30N50P
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTT30N60L2 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 | 立即购买 |
| IXTT30N50L2 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 | 立即购买 |
| IXTT3N200P3HV | IXYS (艾赛斯.力特) | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | 立即购买 |
| IXTT360N055T2 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 55V 360A TO268 | 立即购买 |
| IXTT30N50L | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 | 立即购买 |