IRF7807APBF

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：25 毫欧 @ 7A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8.3A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：17nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：-
功率 - 最大：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽）
包装：管件
供应商设备封装：8-SO
其它名称：*IRF7807APBF