类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：175 毫欧 @ 6.6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：11A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：19nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：350pF @ 25V
功率 - 最大：38W
安装类型：通孔
封装/外壳：IPak, TO-251, DPak, VPak (3 直引线 + 接片)
包装：管件
供应商设备封装：I-Pak
其它名称：*IRFU9024NPBF
IRFU9024NPBF
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFU9014PBF | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK | 立即购买 |
| IRFU9214PBF | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 250V 2.7A I-PAK | 立即购买 |
| IRFU9310PBF | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 400V 1.8A I-PAK | 立即购买 |
| IRFU9210PBF | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 200V 1.9A I-PAK | 立即购买 |
| IRFU9024NPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK | 立即购买 |