类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HiPerFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：11 毫欧 @ 40A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：80A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：180nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4800pF @ 25V
功率 - 最大：230W
安装类型：通孔
封装/外壳：ISOPLUS220™
包装：管件
供应商设备封装：*
IXFC80N08
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFC80N08 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220 | 立即购买 |
| IXFC80N085 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220 | 立即购买 |
| IXFC80N10 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220 | 立即购买 |