类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HiPerFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：150 毫欧 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：800V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：50A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：260nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：7200pF @ 25V
功率 - 最大：890W
安装类型：通孔
封装/外壳：3-PLUS264™
包装：管件
供应商设备封装：*
IXFB50N80Q2
概述
在线购买
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFB52N90P | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH TO-264 | 立即购买 |
| IXFB50N80Q2 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 800V 50A PLUS264 | 立即购买 |