类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PolarHT™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：24 毫欧 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：120A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 500µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：185nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：8000pF @ 25V
功率 - 最大：700W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-264
包装：管件
供应商设备封装：*
IXTK120N25P
概述
在线购买
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTK180N15P | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 | 立即购买 |
| IXTK140N30P | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 300V 140A TO-264 | 立即购买 |
| IXTK110N20L2 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 200V 110A TO-264 | 立即购买 |
| IXTK17N120L | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 1200V 17A TO-264 | 立即购买 |
| IXTK120N25P | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 | 立即购买 |