类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PolarHV™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：11 毫欧 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：140A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：155nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4700pF @ 25V
功率 - 最大：600W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247
包装：管件
供应商设备封装：*
IXFH140N10P
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH16N120P | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247 | 立即购买 |
| IXFH16N50P | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 500V 16A TO-247 | 立即购买 |
| IXFH150N30X3 | IXYS (艾赛斯.力特) | 300V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | 立即购买 |
| IXFH15N80Q | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 800V 15A TO-247AD | 立即购买 |
| IXFH14N100Q2 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD | 立即购买 |