类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：OptiMOS™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：11.7 毫欧 @ 75A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：75A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 94µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：62nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2100pF @ 30V
功率 - 最大：158W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片）
包装：剪切带 (CT)
供应商设备封装：TO-263
其它名称：IPB120N06NGINCT
IPB120N06N G
概述
在线购买
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB120P04P4L03ATMA1 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3 | 立即购买 |
| IPB120P04P4L03ATMA1 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3 | 立即购买 |
| IPB120P04P4L03ATMA1 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3 | 立即购买 |
| IPB120N04S401ATMA1 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2 | 立即购买 |
| IPB120N04S401ATMA1 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2 | 立即购买 |