类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：FETKY™
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：二极管（隔离式）
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：105 毫欧 @ 3.4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.4A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：38nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：690pF @ 25V
功率 - 最大：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（3.9mm 宽）
包装：管件
供应商设备封装：8-SO
其它名称：*IRF7342D2PBF
IRF7342D2PBF
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF730PBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB | 立即购买 |
| IRF730 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | POWER, N-CHANNEL, MOSFET | 立即购买 |
| IRF730APBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB | 立即购买 |
| IRF730ASPBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK | 立即购买 |
| IRF730STRRPBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK | 立即购买 |