类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：800 毫欧 @ 3.1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.2A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：14nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：260pF @ 25V
功率 - 最大：3W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片）
包装：管件
供应商设备封装：*
其它名称：*IRF620SPBF
IRF620SPBF
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF6218STRLPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK | 立即购买 |
| IRF6218STRLPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK | 立即购买 |
| IRF6218STRLPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK | 立即购买 |
| IRF624PBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 250V 4.4A TO-220AB | 立即购买 |
| IRF620STRLPBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK | 立即购买 |