类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：13.5 毫欧 @ 31A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：51A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：36nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1620pF @ 25V
功率 - 最大：80W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片）
包装：管件
供应商设备封装：D2PAK
其它名称：*IRLZ44ZSPBF
IRLZ44ZSPBF
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRLZ44SPBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | 立即购买 |
| IRLZ44NPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 55V 47A TO-220AB | 立即购买 |
| IRLZ44NSTRLPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK | 立即购买 |
| IRLZ44NSTRLPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK | 立即购买 |
| IRLZ44NSTRLPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK | 立即购买 |