类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：OptiMOS™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.5 毫欧 @ 80A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：80A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 180µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：157nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：5100pF @ 30V
功率 - 最大：250W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：TO-220-3
其它名称：IPP065N06LGIPP065N06LGXKSP000204182
IPP065N06L G
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPP065N03LGXKSA1 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| IPP065N04N G | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| IPP06N03LA | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| IPP065N06LGAKSA1 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 | 立即购买 |
| IPP06CN10N G | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 | 立即购买 |