类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：PolarHV™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：270 毫欧 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：22A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：50nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2630pF @ 25V
功率 - 最大：350W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247
包装：管件
供应商设备封装：*
IXTH22N50P
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTH24P20 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET P-CH 200V 24A TO-247AD | 立即购买 |
| IXTH200N10T | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 100V 200A TO-247 | 立即购买 |
| IXTH20P50P | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET P-CH 500V 20A TO-247 | 立即购买 |
| IXTH2N300P3HV | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV | 立即购买 |
| IXTH260N055T2 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 55V 260A TO-247 | 立即购买 |