类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：100 毫欧 @ 9A. 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：17A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：34nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：800pF @ 25V
功率 - 最大：79W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：TO-220AB
其它名称：*IRL530NPBF
IRL530NPBF
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRL530NPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB | 立即购买 |
| IRL530PBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 100V 15A TO-220AB | 立即购买 |
| IRL530NSTRLPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK | 立即购买 |
| IRL530NSTRLPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK | 立即购买 |
| IRL530NSTRLPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK | 立即购买 |