类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：27 毫欧 @ 25A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：42A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：48nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1700pF @ 25V
功率 - 最大：110W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：D-Pak
IRLR2905TRR
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRLR2908TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 80V 30A DPAK | 立即购买 |
| IRLR2908TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 80V 30A DPAK | 立即购买 |
| IRLR2908TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 80V 30A DPAK | 立即购买 |
| IRLR210ATM | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | N-CHANNEL POWER MOSFET | 立即购买 |
| IRLR2905TRPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 立即购买 |