类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:HEXFET®
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:13 毫欧 @ 43A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:82A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:160nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :3820pF @ 25V
功率 - 最大:230W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-262-3(直引线)
包装:管件
供应商设备封装:TO-262
其它名称:*IRF2807L
IRF2807L
概述
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF2804STRLPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | 立即购买 |
IRF2804STRLPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | 立即购买 |
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AUIRF2804S | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | 立即购买 |
IRF2807ZSTRLPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | 立即购买 |