类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：OptiMOS™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：80 毫欧 @ 16A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：16A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 16µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：10nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：370pF @ 30V
功率 - 最大：47W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)
包装：剪切带 (CT)
供应商设备封装：TO-252
其它名称：IPD800N06NGINCT
IPD800N06N G
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPD80R2K0P7ATMA1 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3 | 立即购买 |
| IPD80R2K0P7ATMA1 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3 | 立即购买 |
| IPD80R2K0P7ATMA1 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3 | 立即购买 |
| IPD80R2K8CEATMA1 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 | 立即购买 |
| IPD80R2K8CEATMA1 | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 | 立即购买 |