类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：耗尽模式
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：110 欧姆 @ 50mA, 0V
漏极至源极电压(Vdss)：1000V (1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：100mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：-
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：120pF @ 25V
功率 - 最大：1.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)
包装：管件
供应商设备封装：*
IXTY01N100D
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTY08N50D2 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK | 立即购买 |
| IXTY08N50D2-TRL | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK | 立即购买 |
| IXTY08N50D2-TRL | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK | 立即购买 |
| IXTY08N50D2-TRL | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK | 立即购买 |
| IXTY01N100D | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA | 立即购买 |