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IPB80N04S2-04

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:OptiMOS™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.4 毫欧 @ 80A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:80A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:170nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :5300pF @ 25V
功率 - 最大:300W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:D²Pak,TO-263(2 引线 + 接片)
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:TO-263
其它名称:SP000218154