类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HiPerFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：12 毫欧 @ 40A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：70V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：76A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3.4V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：240nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4400pF @ 25V
功率 - 最大：360W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247AD
包装：管件
供应商设备封装：*
IXFH76N07-12
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFH74N20P | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 | 立即购买 |
| IXFH75N10 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD | 立即购买 |
| IXFH70N20Q3 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 200V 70A TO-247 | 立即购买 |
| IXFH70N30Q3 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 300V 70A TO-247 | 立即购买 |
| IXFH76N07-11 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD | 立即购买 |