类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：450 毫欧 @ 5.6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：300V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：9.3A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：33nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：920pF @ 25V
功率 - 最大：96W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：*
其它名称：*IRFB9N30A
IRFB9N30A
概述
在线购买
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFB9N65APBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB | 立即购买 |
| IRFB9N60APBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB | 立即购买 |
| IRFB9N60A | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB | 立即购买 |
| IRFB9N65A | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB | 立即购买 |
| IRFB9N30A | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB | 立即购买 |