类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：55 毫欧 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：85V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：50A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：150nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4200pF @ 25V
功率 - 最大：300W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247AD
包装：管件
供应商设备封装：*
IXTH50P085
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTH50N20 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD | 立即购买 |
| IXTH50P085 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET P-CH 85V 50A TO-247AD | 立即购买 |
| IXTH500N04T2 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 40V 500A TO-247 | 立即购买 |
| IXTH50N30 | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 300V 50A TO-247 | 立即购买 |
| IXTH56N15T | IXYS (艾赛斯.力特) | MOSFET N-CH 150V 56A TO-247 | 立即购买 |