晶体管极性:N沟道
电压, Vds 最大:400V
开态电阻, Rds(on):1ohm
功耗:74W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
功率, Pd:74W
封装类型:TO-220AB
晶体管类型:MOSFET
热阻, 结至外壳 A:1.7°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:400V
电流, Id 连续:5.5A
电流, Idm 脉冲:22A
表面安装器件:通孔安装
阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
阈值电压, Vgs th 最高:4.5V
IRF730APBF
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF730PBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB | 立即购买 |
| IRF730 | ROCHESTER (罗彻斯特电子) | POWER, N-CHANNEL, MOSFET | 立即购买 |
| IRF730APBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB | 立即购买 |
| IRF730ASPBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK | 立即购买 |
| IRF730STRRPBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK | 立即购买 |