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IRLML6302TRPBF

概述
晶体管极性:P沟道
漏极电流, Id 最大值:-780mA
电压, Vds 最大:20V
开态电阻, Rds(on):0.6ohm
电压 @ Rds测量:-4.5V
电压, Vgs 最高:-12V
功耗:0.4W
工作温度范围:-55°C to +150°C
封装类型:SOT-23
针脚数:3
SMD标号:1C
功率, Pd:0.4W
器件标记:IRLML6302
外宽:3.05mm
外部深度:2.5mm
外部长度/高度:1.12mm
封装类型:SOT-23
带子宽度:8mm
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:-4.5V
电压, Vds 典型值:-20V
电流, Id 连续:0.6A
电流, Idm 脉冲:34A
表面安装器件:表面安装
阈值电压, Vgs th 典型值:-1.5V
阈值电压, Vgs th 最高:-1.4V
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