使用沟渠工艺封装的N通道增强型场效应功率晶体管
应用：
DC到DC转换器
开关电源
电视及电脑显示器电源
IRF540中提供的是SOT78(TO220AB)常规铅的包裹。
IRF540S中提供的是S0T404(D PAK)表面安装的包裹。
IRF540
概述
特性
'Thrench’工艺
低的导通内阻
快速开关
低热敏电阻
参数
晶体管极性:N沟道
漏极电流, Id 最大值:28A
电压, Vds 最大:100V
开态电阻, Rds(on):0.052ohm
电压 @ Rds测量:10V
功耗:107W
工作温度范围:-55oC to +175oC
封装类型:TO-220
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
功率, Pd:107W
器件标记:IRF540A
外宽:10.67mm
外部长度/高度:4.83mm
封装类型:TO-220
晶体管数:1
晶体管类型:MOSFET
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Id 连续:28A
电流, Idm 脉冲:110A
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on 最大:0.052ohm
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
阈值电压, Vgs th 最高:4V
SVHC(高度关注物质)(附加):Bis (2-ethyl(hexyl)phthalate) (DEHP) (18-Jun-2010)
引导图与功能
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF540ZLPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 100V 36A TO-262 | 立即购买 |
| IRF540STRLPBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK | 立即购买 |
| IRF540STRLPBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK | 立即购买 |
| IRF540STRLPBF | SILICONIX (威世) | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK | 立即购买 |
| IRF540ZPBF | INFINEON (英飞凌) | MOSFET N-CH 100V 36A TO-220AB | 立即购买 |