制造商型号： | ZXMN10A11GTA |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) ZXMN10A11GTA
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ZXMN10A11GTA 中文资料
数据手册PDF
ZXMN10A11GTA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 2.4 A
漏源电阻 350 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 5.4 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.5 ns
正向跨导（Min） 4 S
上升时间 1.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.4 ns
典型接通延迟时间 2.7 ns
外形参数
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 112 mg
库存： 1708
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 9.205608 | 9.21 |
| 10 | 7.936728 | 79.37 |
| 100 | 5.492266 | 549.23 |
| 500 | 4.589617 | 2294.81 |
品牌其他型号
ZXMN10A11GTA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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