类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：STripFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：6.5 毫欧 @ 40A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：80A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：136nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：4850pF @ 25V
功率 - 最大：300W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
供应商设备封装：*
其它名称：497-5898-5STP80NF55L-06-ND
STP80NF55L-06
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STP80NF10FP | ST (意法半导体) | MOSFET N-CH 100V 38A TO-220FP | 立即购买 |
| STP80NF10 | ST (意法半导体) | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 | 立即购买 |
| STP80N10F7 | ST (意法半导体) | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 | 立即购买 |
| STP80N6F6 | ST (意法半导体) | MOSFET N-CH 60V TO-220 | 立即购买 |
| STP80NF70 | ST (意法半导体) | MOSFET N-CH 68V 98A TO-220AB | 立即购买 |
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