类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：SuperMESH™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：7 欧姆 @ 800mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：700V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.6A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：11.4nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：280pF @ 25V
功率 - 最大：45W
安装类型：通孔
封装/外壳：IPak, TO-251, DPak, VPak (3 直引线 + 接片)
包装：管件
供应商设备封装：*
STD2NK70Z-1
概述
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| STD2N105K5 | ST (意法半导体) | MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK | 立即购买 |
| STD2N105K5 | ST (意法半导体) | MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK | 立即购买 |
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| STD2N62K3 | ST (意法半导体) | MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK | 立即购买 |
| STD2N62K3 | ST (意法半导体) | MOSFET N-CH 620V 2.2A DPAK | 立即购买 |
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