制造商：Vishay
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：否
配置：Dual
晶体管极性：P-Channel
电阻汲极/源极RDS（导通）：0.65Ohms
汲极/源极击穿电压：-12V
闸/源击穿电压：+/-8V
漏极连续电流：+/-0.56A
功率耗散：0.27W
最大工作温度：+150C
安装风格：SMD/SMT
封装/箱体：SOT-363
封装：Reel
最小工作温度：-55C
StandardPackQty：3000
SI1907DL-T1
概述
在线购买
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI1902DL-T1-E3 | SILICONIX (威世) | MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6 | 立即购买 |
| SI1902DL-T1-E3 | SILICONIX (威世) | MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6 | 立即购买 |
| SI1902DL-T1-E3 | SILICONIX (威世) | MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6 | 立即购买 |
| SI1902DL-T1-GE3 | SILICONIX (威世) | MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6 | 立即购买 |
| SI1902DL-T1-GE3 | SILICONIX (威世) | MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6 | 立即购买 |
IC系列索引