制造商:Vishay
产品种类:MOSFET小信号
RoHS:是
配置:SingleQuadDrain
晶体管极性:N-Channel
汲极/源极击穿电压:30V
闸/源击穿电压:+/-20V
漏极连续电流:4.5A
功率耗散:1100mW
最大工作温度:+150C
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TSOP-6
封装:Reel
最小工作温度:-55C
StandardPackQty:3000
SI3456BDV-T1-E3
概述
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型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI3457DV | ON (安森美) | MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6 | 立即购买 |
SI3457DV | ON (安森美) | MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6 | 立即购买 |
SI3457DV | ON (安森美) | MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6 | 立即购买 |
SI3457CDV-T1-GE3 | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP | 立即购买 |
SI3457CDV-T1-GE3 | SILICONIX (威世) | MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP | 立即购买 |
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